| 型号： | IRF6655TRPBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRF6655TRPBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit DirectFET |
| 标准包装 | 4,800 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.8V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 SH |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET? SH |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1525 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRF6655TRPBFTR |